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安森美半导体

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fds4141

  ON 安森美

  型号 fds4141

  FET 型MOSFET P-Channel, Metal Oxide

  FET特点Logic Level Gate

  漏极至源极电压(VDSS)40V

  电流-连续漏极(编号)@ 25°C10.8A

  Rds(最大)@ ID,VGS13 mOhm @ 10.5A, 10V

  VGS(TH)(最大)@ Id3V @ 250µA

  栅极电荷(Qg)@ VGS49nC @ 10V

  输入电容(Ciss)@ Vds的2670pF @ 20V

  功率 - 最大2.5W

  安装类型Surface Mount

  包/盒8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  供应商器件封装8-SOICN

  包装材料Tape & Reel (TR)

  包装8SOIC N

  渠道类型P

  通道模式Enhancement

  最大漏源电压40 V

  最大连续漏极电流10.8 A

  RDS -于13@10V mOhm

  最大门源电压±20 V

  典型导通延迟时间10 ns

  典型上升时间2 ns

  典型关闭延迟时间42 ns

  典型下降时间12 ns

  工作温度-55 to 150 °C

  安装Surface Mount

  标准包装Cut Tape

  标准包装Tape & Reel

  最大门源电压±20

  欧盟RoHS指令Compliant

  最高工作温度150

  标准包装名称SOIC

  最低工作温度-55

  封装Tape and Reel

  最大漏源电阻13@10V

  最大漏源电压40

  每个芯片的元件数1

  供应商封装形式SOIC N

  最大功率耗散5000

  最大连续漏极电流10.8

  引脚数8

  铅形状Gull-wing

  FET特点Logic Level Gate

  安装类型Surface Mount

  电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C10.8A (Ta)

  的Vgs(th ) (最大)@ Id3V @ 250µA

  漏极至源极电压(Vdss)40V

  供应商设备封装8-SOIC N

  开态Rds(最大)@ Id ,V GS13 mOhm @ 10.5A, 10V

  FET型MOSFET P-Channel, Metal Oxide

  功率 - 最大2.5W

  输入电容(Ciss ) @ VDS2670pF @ 20V

  其他名称FDS4141TR

  闸电荷(Qg ) @ VGS49nC @ 10V

  封装/外壳8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  RoHS指令Lead free / RoHS Compliant

  漏极电流(最大值)10.8 A

  频率(最大)Not Required MHz

  栅源电压(最大值)�20 V

  输出功率(最大)Not Required W

  功率耗散5 W

  噪声系数Not Required dB

  漏源导通电阻0.013 ohm

  工作温度范围-55C to 150C

  包装类型SOIC N

  极性P

  类型Power MOSFET

  元件数1

  工作温度分类Military

  漏极效率Not Required %

  漏源导通电压40 V

  功率增益Not Required dB

  弧度硬化No

  连续漏极电流10.8 A

  晶体管极性:P Channel


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