ON 安森美

　　型号 bss138

　　N沟道，50V，0.22A，RDS(on) = 3.5Ω@10V

　　目录MOS(场效应管)

　　漏源电压(Vdss)50V

　　连续漏极电流(Id)(25°C 时)220mA

　　栅源极阈值电压1.5V @ 1mA

　　漏源导通电阻3.5Ω @ 220mA,10V

　　最大功率耗散(Ta=25°C)360mW

　　类型N沟道

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　　FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

　　FET 功能：逻辑电平门

　　漏源极电压(Vdss)：50V

　　电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)：220mA(Ta)

　　不同?Id，Vgs 时的?Rds On(最大值)：3.5 欧姆 @ 220mA，10V

　　不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)：1.5V @ 1mA

　　不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)：2.4nC @ 10V

　　不同 Vds 时的输入电容(Ciss)：27pF @ 25V

　　功率 - 最大值：360mW

　　工作温度：-55°C ~ 150°C(TJ)

　　安装类型：表面贴装

　　封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

　　供应商器件封装：SOT-23-3