ON 安森美

　　型号 2n7002lt1g

　　N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

　　目录MOS(场效应管)

　　漏源电压(Vdss)60V

　　连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA

　　栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

　　漏源导通电阻7.5Ω @ 500mA,10V

　　最大功率耗散(Ta=25°C)225mW

　　类型N沟道

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　　FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

　　FET 功能：标准

　　漏源极电压(Vdss)：60V

　　电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)：115mA(Tc)

　　不同?Id，Vgs 时的?Rds On(最大值)：7.5 欧姆 @ 500mA，10V

　　不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)：2.5V @ 250μA

　　不同 Vds 时的输入电容(Ciss)：50pF @ 25V

　　功率 - 最大值：225mW

　　工作温度：-55°C ~ 150°C(TJ)

　　安装类型：表面贴装

　　封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

　　供应商器件封装：SOT-23-3(TO-236)