电子元器件现货供应服务商

√ 品质保证 √ 高效现货 √ 技术支持
EN tel

拨打电话

现货订购热线 0755-83993082

安森美半导体

tel 工厂服务热线 189-2525-9422
当前位置: 首页>品牌分类>经销品牌>安森美半导体

2n7002lt1g

  ON 安森美

  型号 2n7002lt1g

  N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

  目录MOS(场效应管)

  漏源电压(Vdss)60V

  连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA

  栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

  漏源导通电阻7.5Ω @ 500mA,10V

  最大功率耗散(Ta=25°C)225mW

  类型N沟道

  查看类似商品

  FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

  FET 功能:标准

  漏源极电压(Vdss):60V

  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Tc)

  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V

  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

  不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V

  功率 - 最大值:225mW

  工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

  安装类型:表面贴装

  封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)


在线留言咨询

咨询的品牌
您的姓名
您的电话
立即提交 在线咨询
首页首页 品牌分类品牌分类 关于我们关于我们 一键呼我一键呼我 backtop回顶