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安森美半导体

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bss123lt1g

  ON 安森美

  型号 bss123lt1g

  N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

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  目录MOS(场效应管)

  漏源电压(Vdss)100V

  连续漏极电流(Id)(25°C 时)170mA

  栅源极阈值电压2.8V @ 1mA

  漏源导通电阻6Ω @ 100mA,10V

  最大功率耗散(Ta=25°C)225mW

  类型N沟道

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  FET 类型N 沟道

  技术MOSFET(金属氧化物)

  漏源极电压(Vdss)100V

  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)170mA(Ta)

  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 1mA

  不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)-

  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)20pF @ 25V

  Vgs(最大值)±20V

  FET 功能-

  功率耗散(最大值)225mW(Ta)

  不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)6 欧姆 @ 100mA,10V

  工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

  安装类型表面贴装

  供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

  封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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