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新洁能半导体

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nce40h12k

  新洁能

  MOS管

  全国型号 nce40h12k

  目录MOS(场效应管)

  漏源电压(Vdss)40V

  连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc)

  栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

  漏源导通电阻4mΩ @ 20A,10V

  最大功率耗散(Ta=25°C)120W(Tc)

  类型N沟道

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