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新洁能半导体

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 NCE40P13S

  

     品牌:新洁能  漏源电压(Vdss):40V  漏源导通电阻:15mΩ @ 12A,10V
   型号:NCE40P13S  连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A  最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W
  MOS(场效应管)  栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA  类型:P沟道


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