电子元器件现货供应服务商

√ 品质保证 √ 高效现货 √ 技术支持
EN tel

拨打电话

现货订购热线 0755-83993082

行业新闻

tel 工厂服务热线 189-2525-9422
当前位置: 首页>资讯百科>行业新闻
返回
列表

从四个方面教你如何正确选取MOS管

文章出处:行业新闻 网责任编辑: 明嘉瑞科技 阅读量: 发表时间:2020-11-11 11:35:18

  在全球化的影响下,电子元器件发展壮大。电子元器件的发展影响着社会的进步,尤其是IC、mos管、mcu、单机片。电子元器件的发展越快,人们的生活质量也越来越好。其中最不可缺少的是MOS管,而选取一个正确的mos管是非常重要的。下面就说说如何选取正确的mos管。

从四个方面教你如何正确选取MOS管

  mos管(场效应管)

  mos管叫做场效应晶体管又简称场效应管。可以分为两种类型:结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管简称MOS-FET。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。名称较多并不影响它的作用之大。

  电子元器件发展这么快,mos管的发展比较全面,那如何选取正确的mos管?从四个方面教你选择正确的mos管。

  第一方面:场效应管用N沟道到P沟道

  选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。

  确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件 的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。

  第二方面:场效应管要确定MOS管的额定电流

  该场效应管额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电 流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

  选好场效应管额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确 定,并随温度而显着变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施 加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。场效应管确认好额定电流,控制好的电流方能运用好场效应管。

  第三方面:选择MOS管的下一步是系统的散热要求

  场效应管须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据;器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散,即按定义相等于I2×RDS(ON)。我们已将要通过器件的最大电流,可以计算出不同温度下的RDS(ON)。另外,还要做好电路板 及其MOS管的散热。对mos管来书是非常重要的。

  场效应管雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值,并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。

  第四方面:选择场效应管的最后一步是决定场效应管的开关性能

  影响场效应管开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。场效应管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过 程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗和关闭过程中的损耗。场效应管开关的总功率可用如下方程表达:Psw= (Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷对开关性能的影响最大。

  mos管在我们生活中也是非常常见的,在的家里电器都有它们的身影。也影响着我们的生活,让我们生活更加便捷化,简洁化。方便化。影响着我们的出行呀,科技、医疗等很多领域。


首页首页 品牌分类品牌分类 关于我们关于我们 一键呼我一键呼我 backtop回顶